用户工具

站点工具

wenzhang:1906:wzq

基于HfNx∶Zn薄膜的负微分阻变存储器

王中强a,b,张雪a,齐猛a,凡井波a,严梓洋a,李壮壮a
(东北师范大学 a.物理学院;b.物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024)

  摘 要: 基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象. Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150 ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85 ℃时>105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%). Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.
  关键词: 阻变存储器;氮化铪;氮空位缺陷;负微分电阻

  文章下载


wenzhang/1906/wzq.txt · 最后更改: 2019/06/22 08:38 由 guoweilw