用户工具

站点工具

wenzhang:1811:lw

紫外LED隧穿结的模拟设计

林伟a,b,c,吴雅苹a,b,c,李德鹏a,b,c,卢诗强a,b,c
(厦门大学 物理科学与技术学院 a.物理系;b.福建省半导体材料及应用重点实验室;c.半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建 厦门 361005)

  摘 要: 采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率. 经过优化,p+AlGaN中Al组分自下而上线性地由0.45渐变到0.70,n+AlGaN中Al组分自下向上线性地由0.70渐变到0.45. 器件I-V曲线在开启电压以上,呈现近线性关系,表明渐变Al组分隧穿结深紫外LED器件表现出更佳的电注入特性,297 nm室温电致发光峰强度高于非渐变结构深紫外LED. 内量子效率、光功率和辐射复合率模拟结果进一步证实渐变Al组分隧穿结的引入增大了有源区注入的空穴浓度,量子阱内辐射复合率得到提高.
  关键词: 紫外LED;隧穿结;光电特性;电子结构

  文章下载


wenzhang/1811/lw.txt · 最后更改: 2018/11/18 23:02 由 guoweilw